溫度系數(shù)
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溫度系數(shù)(temperature coefficient)是指在溫度變化1K時,特定物理量的相對變化。
以下的公式中,R為特定的物理量,T為量測物理量時的溫度,T0為參考溫度,ΔT為量測溫度及參考溫度的溫度差,α為(線性)溫度系數(shù)。則物理量可以用以下公式表示:
此處α的因次為溫度的倒數(shù)(1/K或K?1)。
以上式子的物理量和溫度成線性關(guān)系,若物理量和溫度的多項式或?qū)?shù)成正比,也可以在一定溫度范圍內(nèi)計算溫度系數(shù),近似此范圍內(nèi)的物理量變化。若物理量是隨溫度指數(shù)增長或指數(shù)衰減(例如阿倫尼烏斯方程),只能在一個很小的溫度范圍內(nèi)計算溫度系數(shù)。
溫度系數(shù)會隨應用領(lǐng)域的不同而不同,例如核能、電子學或磁學均有其溫度系數(shù)。物體的彈性模量也會隨溫度而變化,一般彈性模量會隨溫度升高而下降。
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負溫度系數(shù)
負溫度系數(shù)(NTC)是指一物體在一定溫度范圍內(nèi),其物理性質(zhì)(例如電阻)隨溫度升高而降低。半導體、絕緣體的電阻值都隨溫度上升而下降。
熱導率為負溫度系數(shù)的材料自1961年起,常用在地板暖氣中。負溫度系數(shù)可以避免對地毯、豆豆椅、床墊的部份過度加熱,部份過度加熱可能會破壞木質(zhì)地板,甚至會產(chǎn)生火災。
半導體和陶瓷的電阻為負溫度系數(shù)。
電阻的溫度系數(shù)
在設(shè)計電子元件及電路時需考慮溫度對電阻和元件的影響。導體的電阻率對溫度大致為線性變化,可以近似為下式:
其中
ρ0只是對應某一特定溫度(例如T = 0 °C)下的電阻率[1]
不過半導體的電阻率對溫度就是指數(shù)變化:
其中S定義為截面積,而α及b則是決定其函數(shù)和特定溫度下電阻率數(shù)值的系數(shù)。
而導體而言,α即為其電阻溫度系數(shù)。半導體的電阻溫度系數(shù)則不太一致,有些文獻[2]將上述的α為半導體的電阻溫度系數(shù)。但描述半導體的電阻溫度特性時,常會整理上式,使α為常數(shù)e,以那時的b來描述半導體的電阻溫度特性。
上述性質(zhì)常用在熱敏電阻中。
電阻的正溫度系數(shù)
電阻的正溫度系數(shù)(PTC)是指材料的電阻值會隨溫度上升而上升,若一物質(zhì)的電阻溫度特性可作為工程應用,一般需要其阻值隨溫度有較大的變化,也就是溫度系數(shù)較大。溫度系數(shù)越大,代表在相同溫度變化下,其電阻增加的越多。
電阻的負溫度系數(shù)
大部份陶瓷的電阻為負溫度系數(shù),其統(tǒng)御方程式為阿倫尼烏斯方程
其中R為電阻,A和B為常數(shù),而T為絕對溫度(K)。
常數(shù)B和形成及移動載流子所需的能量有關(guān),因此若B降的越低,材料越接近絕緣體。NTC電阻的目的就是選擇適當?shù)南禂?shù)B,可以對溫度有良好的靈敏度。利用常數(shù)B可以建立以下電阻和溫度的關(guān)系:
其中R0為溫度在T0時的阻值。
單位
電阻的溫度系數(shù)有時會以ppm/°C表示,是指當溫度在其操作溫度附近變化時,其電阻變化的比例。
可逆溫度系數(shù)
殘留磁通密度(Br)對溫度的變化是磁體材料的重要特性之一。像陀螺儀或行波管等應用都需要在大幅度的溫度范圍內(nèi)有固定的磁場。殘留磁通密度的可逆溫度系數(shù)(reversible temperature coefficient,簡稱RTC)定義為:
為了滿足這些要求,在1970年代開發(fā)了溫度補償?shù)?a href="/w/%E7%A3%81%E9%93%81" title="磁鐵" class="mw-redirect">磁鐵[3]。傳統(tǒng)的釤鈷磁鐵其殘留磁通密度隨溫度上升而下降,而在特定溫度范圍內(nèi)GdCo(釓鈷)磁鐵其殘留磁通密度隨溫度上升而上升。借由調(diào)整合金中釤和釓的比例,可將特定溫度范圍內(nèi)的可逆溫度系數(shù)調(diào)整到接近零。
熱膨脹系數(shù)
物質(zhì)的大小會受因溫度而變化,熱膨脹系數(shù)可用來說明一物體隨溫度的變化。另一個類似的系數(shù)是線性熱膨脹系數(shù),用來描述一個物體長度隨溫度的變化。由于物體的長度可以表示溫度,物體的熱膨脹特性可用來制作溫度計及自動調(diào)溫器。
核反應度的溫度系數(shù)
在核能工程中,核反應度(reactivity)的溫度系數(shù)是指因核反應元件或核反應冷媒溫度變化,所造成的核反應度變化(以能量的變化來表示),可定義如下:
其中ρ為核連鎖反應中的有效中子增殖因子(核反應度),而T為溫度??捎缮鲜娇闯?span id="iviaflb" class="texhtml">αT是核反應度對溫度的偏微分,也就是核反應度的溫度系數(shù)。αT表示溫度變化對核反應度的影響,可應用在被動式核能安全。負的αT常被視為是核能安全的重要指標,不過由于實際反應器的大幅度溫度變化(和理論上的均質(zhì)反應器不同),限制了以此單一數(shù)值作為核能安全指標的可行性[4] 。
在以水為中子減速劑的核反應器,總體核反應度對溫度的變化會以核反應性對水溫度的變化來表示,不過反應器中的不同材質(zhì)(如燃料或包復層)均有個自的核反應度溫度系數(shù)。水會隨著溫度升高而膨脹,因此中子在中子減速劑中運動的時間會變長,燃料的體積變化相對較小。燃料溫度變化造成的核反應度影響,會形成一種稱為多普勒展寬的現(xiàn)象,是指填充材料中的快中子吸收共振,避免中子被熱化減速的現(xiàn)象[5]。
參考資料
- ↑ Kasap, S. O.. Principles of Electronic Materials and Devices. Third. Mc-Graw Hill. 2006: p. 126.
- ↑ Alenitsyn, Alexander G.; Butikov, Eugene I.; Kondraryez, Alexander S.. Concise Handbook of Mathematics and Physics. CRC Press. 1997: pp. 331–332. ISBN 0-8493-7745-5.
- ↑ About Us. Electron Energy Corporation.
- ↑ Duderstadt & Hamilton 1976, pp. 259–261
- ↑ Duderstadt & Hamilton 1976, pp. 556–559
- Duderstadt, James J.; Hamilton, Louis J.. Nuclear Reactor Analysis. Wiley. 1976. ISBN 0-471-22363-8.
參考來源
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